N-Kanal-Transistor IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

N-Kanal-Transistor IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
2.75fr
5-24
2.50fr
25-49
2.22fr
50-99
2.02fr
100+
1.73fr
Menge auf Lager: 110

N-Kanal-Transistor IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 540 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP450
32 Parameter
ID (T=100°C)
8.7A
ID (T=25°C)
14A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.4 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2600pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
N-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
56A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
420pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
RoHS
ja
Td(off)
92us
Td(on)
17us
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
540 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay