N-Kanal-Transistor IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

N-Kanal-Transistor IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Menge
Stückpreis
1-4
9.72fr
5-9
8.80fr
10-24
8.11fr
25-49
7.59fr
50+
6.81fr
Menge auf Lager: 30

N-Kanal-Transistor IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 10470pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 171A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 977pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 517W. RoHS: ja. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP4568PBF
32 Parameter
ID (T=100°C)
121A
ID (T=25°C)
694A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0048 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
10470pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
20uA
Id(imp)
171A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
977pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
517W
RoHS
ja
Td(off)
47 ns
Td(on)
27 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
110 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies