N-Kanal-Transistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1070pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 380A. Kanaltyp: N. Kosten): 6040pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 580W. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45