N-Kanal-Transistor IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

N-Kanal-Transistor IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
3.14fr
5-24
2.78fr
25-49
2.51fr
50+
2.27fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 33

N-Kanal-Transistor IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1900pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: schnelle Umschaltung, ORION TV. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 22A. Kanaltyp: N. Kosten): 470pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFPE40
30 Parameter
ID (T=100°C)
3.4A
ID (T=25°C)
5.4A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
2 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1900pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
schnelle Umschaltung, ORION TV
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
22A
Kanaltyp
N
Kosten)
470pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
550 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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