N-Kanal-Transistor IRFPE40PBF, TO-247AC, 800V
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N-Kanal-Transistor IRFPE40PBF, TO-247AC, 800V. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFPE40PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38
IRFPE40PBF
16 Parameter
Gehäuse
TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds [V]
800V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
100 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1900pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
5.4A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
2 Ohms @ 3.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
16 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFPE40PBF
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
150W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)