N-Kanal-Transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms
Menge
Stückpreis
1-1
5.27fr
2-4
4.72fr
5-9
4.30fr
10-24
3.93fr
25+
3.64fr
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N-Kanal-Transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Kanaltyp: N. Leistung: 190W. Maximaler Drainstrom: 7.8A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 31/12/2025, 04:37
IRFPE50PBF
7 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
800V
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
Kanaltyp
N
Leistung
190W
Maximaler Drainstrom
7.8A
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay