N-Kanal-Transistor IRFPS37N50A, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V

N-Kanal-Transistor IRFPS37N50A, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
14.06fr
5-9
12.89fr
10-24
11.93fr
25-49
11.17fr
50+
9.91fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 38

N-Kanal-Transistor IRFPS37N50A, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: 17.4k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPER247. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 5579pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 144A. Kanaltyp: N. Kosten): 810pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 52 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFPS37N50A
30 Parameter
ID (T=100°C)
23A
ID (T=25°C)
36A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.13 Ohms
Gehäuse
17.4k Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
SUPER247
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
5579pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
144A
Kanaltyp
N
Kosten)
810pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Td(off)
52 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
570 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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