N-Kanal-Transistor IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V

N-Kanal-Transistor IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
1.03fr
5-49
0.85fr
50-99
0.72fr
100+
0.66fr
Menge auf Lager: 57

N-Kanal-Transistor IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. IDSS (max): 3.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 400V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 42W. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR320
14 Parameter
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
3.1A
IDSS (max)
3.1A
Einschaltwiderstand Rds On
1.8 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
400V
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
42W
Technologie
HEXFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier