N-Kanal-Transistor IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

N-Kanal-Transistor IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.84fr
5-24
0.72fr
25-49
0.64fr
50-99
0.57fr
100+
0.46fr
Menge auf Lager: 105

N-Kanal-Transistor IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 640pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: N. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR3910
28 Parameter
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
16A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.115 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
640pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
N
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
79W
RoHS
ja
Td(off)
37 ns
Td(on)
6.4 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
130 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier