N-Kanal-Transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V

N-Kanal-Transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
0.95fr
5-49
0.79fr
50-99
0.67fr
100+
0.60fr
Menge auf Lager: 4

N-Kanal-Transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 27A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 55V. Funktion: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR4105
17 Parameter
ID (T=100°C)
19A
ID (T=25°C)
27A
IDSS
0.025mA
IDSS (max)
27A
Einschaltwiderstand Rds On
0.045 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
55V
Funktion
td(on) 7ns
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
68W
RoHS
ja
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier