N-Kanal-Transistor IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

N-Kanal-Transistor IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

Menge
Stückpreis
1-24
1.10fr
25-74
0.92fr
75-299
0.82fr
300+
0.77fr
Menge auf Lager: 200

N-Kanal-Transistor IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V. Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFRC20PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27

Technische Dokumentation (PDF)
IRFRC20PBF
17 Parameter
Gehäuse
D-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Drain-Source-Spannung Uds [V]
600V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
30 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
350pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
2A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
4.4 Ohms @ 1.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFRC20PBF
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
42W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)