N-Kanal-Transistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Advanced Power MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45