N-Kanal-Transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

N-Kanal-Transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.09fr
5-24
0.90fr
25-49
0.76fr
50+
0.69fr
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N-Kanal-Transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 140pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kosten): 53pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFU210
28 Parameter
ID (T=100°C)
1.7A
ID (T=25°C)
2.6A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
140pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kosten)
53pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
RoHS
ja
Td(off)
14 ns
Td(on)
8.2 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
150 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay