N-Kanal-Transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

N-Kanal-Transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
0.94fr
5-24
0.79fr
25-49
0.70fr
50-99
0.62fr
100+
0.50fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 96

N-Kanal-Transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kosten): 48pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFUC20
26 Parameter
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
2A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
4.4 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
600V
C(in)
350pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
100uA
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Kosten)
48pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
42W
RoHS
ja
Td(off)
30 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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