N-Kanal-Transistor IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

N-Kanal-Transistor IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.22fr
5-24
1.02fr
25-49
0.90fr
50-99
0.81fr
100+
0.69fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 229

N-Kanal-Transistor IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1812pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kosten): 393pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRFZ44V
30 Parameter
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
16.5m Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1812pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
220A
Kanaltyp
N
Kosten)
393pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
115W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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