N-Kanal-Transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 54nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1970pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 55V. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.6K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 210A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 470pF. Leistung: 94W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 64A. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 68 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13