N-Kanal-Transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V

N-Kanal-Transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
6.14fr
5-9
5.48fr
10-24
4.98fr
25-49
4.62fr
50+
4.09fr
Menge auf Lager: 64

N-Kanal-Transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1100pF. CE-Diode: ja. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 92A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4BC30UD. Kollektorstrom: 23A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 73pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4BC30UD
29 Parameter
Ic(T=100°C)
12A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220 ( AB )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1100pF
CE-Diode
ja
Funktion
UltraFast CoPack IGBT
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
92A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
IRG4BC30UD
Kollektorstrom
23A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
73pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.1V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.95V
Td(off)
91 ns
Td(on)
40 ns
Trr-Diode (Min.)
42 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier