N-Kanal-Transistor IRG4PC40KD, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor IRG4PC40KD, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
5.36fr
5-9
4.85fr
10-24
4.43fr
25-49
4.14fr
50+
3.68fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IRG4PC40KD, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1600pF. CE-Diode: ja. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 84A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 42A. Kosten): 130pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC40KD
26 Parameter
Ic(T=100°C)
25A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1600pF
CE-Diode
ja
Funktion
Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
84A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
42A
Kosten)
130pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.6V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.1V
Td(off)
110 ns
Td(on)
53 ns
Trr-Diode (Min.)
42 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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