N-Kanal-Transistor IRG4PC60FP, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor IRG4PC60FP, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
9.87fr
5-9
9.14fr
10-24
8.50fr
25+
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N-Kanal-Transistor IRG4PC60FP, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 6050pF. CE-Diode: nein. Funktion: „Schnellgeschwindigkeits-IGBT“. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 360A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 90A. Kosten): 360pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 520W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC60FP
25 Parameter
Ic(T=100°C)
60A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
6050pF
CE-Diode
nein
Funktion
„Schnellgeschwindigkeits-IGBT“
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
360A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
90A
Kosten)
360pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.8V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
520W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Td(off)
310 ns
Td(on)
42 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier