N-Kanal-Transistor IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-Kanal-Transistor IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Menge
Stückpreis
1-4
2.90fr
5-24
2.50fr
25-49
2.21fr
50-99
2.01fr
100+
1.72fr
Menge auf Lager: 81

N-Kanal-Transistor IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6590pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 640A. Kanaltyp: N. Kosten): 1710pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRL1404
29 Parameter
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
160A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.004 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
6590pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
640A
Kanaltyp
N
Kosten)
1710pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Td(off)
38 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
63 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier