N-Kanal-Transistor IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

N-Kanal-Transistor IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

Menge
Stückpreis
1-4
2.70fr
5-24
2.43fr
25-49
2.20fr
50-99
2.00fr
100+
1.75fr
Menge auf Lager: 69

N-Kanal-Transistor IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS: 20uA. IDSS (max): 200A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 5080pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 790A. Kanaltyp: N. Kosten): 970pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 230W. Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRL1404ZS
24 Parameter
ID (T=100°C)
140A
ID (T=25°C)
200A
IDSS
20uA
IDSS (max)
200A
Einschaltwiderstand Rds On
2.5m Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-263 ( D2PAK )
Spannung Vds(max)
40V
C(in)
5080pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Id(imp)
790A
Kanaltyp
N
Kosten)
970pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
230W
Td(off)
30 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
26 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier