N-Kanal-Transistor IRL3502, TO-220AB, 20V

N-Kanal-Transistor IRL3502, TO-220AB, 20V

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N-Kanal-Transistor IRL3502, TO-220AB, 20V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4700pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 110A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: IRL3502. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:37

Technische Dokumentation (PDF)
IRL3502
16 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
20V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
96 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
4700pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
110A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.007 Ohms @ 64A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2V
Herstellerkennzeichnung
IRL3502
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
140W
RoHS
nein
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier