N-Kanal-Transistor IRL3705ZS, D2PAK
Menge
Stückpreis
1-4
6.79fr
5-9
5.69fr
10-19
5.48fr
20-49
5.33fr
50+
5.16fr
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N-Kanal-Transistor IRL3705ZS, D2PAK. Gehäuse: D2PAK. Aufladung: 40nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Gate-Source-Spannung: 16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.14K/W. Leistung: 130W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 86A. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
IRL3705ZS
12 Parameter
Gehäuse
D2PAK
Aufladung
40nC
Drain-Source-Spannung
55V
Gate-Source-Spannung
16V
Gehäuse thermischer Widerstand
1.14K/W
Leistung
130W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
86A
Transistortyp
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)