N-Kanal-Transistor IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-Kanal-Transistor IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.71fr
5-24
2.35fr
25-49
2.10fr
50+
1.85fr
Menge auf Lager: 49

N-Kanal-Transistor IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5890pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: sehr niedrige Rds. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1040A. Kanaltyp: N. Kosten): 3130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRL3713
30 Parameter
ID (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
260A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.003 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5890pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
sehr niedrige Rds
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
1040A
Kanaltyp
N
Kosten)
3130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
330W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
SMPS MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
75 ns
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier