N-Kanal-Transistor IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 49.3nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Drain-Source-Spannung: 100V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 36A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.1K/W. Herstellerkennzeichnung: IRL540N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 36A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kontrolle: Logikebene. Leistung: 140W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Maximaler Drainstrom: 36A. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Strömung abfließen: 36A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42