N-Kanal-Transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-Kanal-Transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.65fr
5-24
1.46fr
25-49
1.31fr
50-99
1.18fr
100+
1.03fr
Menge auf Lager: 779

N-Kanal-Transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kosten): 350pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRL540NS
26 Parameter
ID (T=100°C)
26A
ID (T=25°C)
36A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.044 Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1800pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Gate-Steuerung durch Logikpegel
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kosten)
350pF
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
140W
RoHS
ja
Td(off)
39 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies