N-Kanal-Transistor IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

N-Kanal-Transistor IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.87fr
5-24
0.77fr
25-49
0.68fr
50-99
0.63fr
100+
0.54fr
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N-Kanal-Transistor IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 530pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kosten): 230pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLL2703
25 Parameter
ID (T=100°C)
3.1A
ID (T=25°C)
5.5A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.45 Ohms
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Spannung Vds(max)
30 v
C(in)
530pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kosten)
230pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.1W
Td(off)
6.9ns
Td(on)
7.4 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
42 ns
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier