N-Kanal-Transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Gehäuse: TO252AA, DPAK. Aufladung: 16.7nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 2.7K/W. Leistung: 68W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 28A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:09