N-Kanal-Transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 11m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Aufladung: 23nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1570pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±16V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kosten): 230pF. Leistung: 110W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 110W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Strömung abfließen: 60A. Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 22ms. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Äquivalente: IRLR2905ZTRPBF. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38