N-Kanal-Transistor IRLR3110ZTRPBF, DPAK
Menge
Stückpreis
1-4
3.15fr
5-9
2.20fr
10-19
2.05fr
20-49
1.96fr
50+
1.88fr
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N-Kanal-Transistor IRLR3110ZTRPBF, DPAK. Gehäuse: DPAK. Drain-Source-Spannung: 100V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Leistung: 140W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 63A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: Spule. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 06:37
IRLR3110ZTRPBF
12 Parameter
Gehäuse
DPAK
Drain-Source-Spannung
100V
Eigenschaften des Halbleiters
Logikebene
Leistung
140W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
63A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
Spule
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)