N-Kanal-Transistor IRLU024NPBF, 55V, IPAK
Menge
Stückpreis
5-9
0.82fr
10-74
0.75fr
75-299
0.65fr
300-1124
0.59fr
1125+
0.55fr
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N-Kanal-Transistor IRLU024NPBF, 55V, IPAK. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: IPAK. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Information: -. MSL: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Polarität: MOSFET N. Serie: HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:38
IRLU024NPBF
10 Parameter
Vdss (Drain-Source-Spannung)
55V
Gehäuse
IPAK
Gate/Source-Spannung Vgs max
-16V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
17A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
45W
Polarität
MOSFET N
Serie
HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
5