N-Kanal-Transistor IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 10nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 480pF. Drain-Source-Spannung: 55V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.1 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.3K/W. Herstellerkennzeichnung: IRLZ24NPBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 18A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 45W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Polarität: unipolar. RoHS: nein. Serie: HEXFET. Strömung abfließen: 18A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06