N-Kanal-Transistor IRLZ34NPBF, 55V, 0.035 Ohms, 55V

N-Kanal-Transistor IRLZ34NPBF, 55V, 0.035 Ohms, 55V

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N-Kanal-Transistor IRLZ34NPBF, 55V, 0.035 Ohms, 55V. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 880pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.9 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: IRLZ34NPBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kontrolle: Logikebene. Leistung: 68W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Maximaler Drainstrom: 30A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRLZ34NPBF
22 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
55V
Einschaltwiderstand Rds On
0.035 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
55V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
21 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
880pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
30A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.035 Ohms @ 16A
Einschaltzeit ton [nsec.]
8.9 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2V
Herstellerkennzeichnung
IRLZ34NPBF
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kontrolle
Logikebene
Leistung
68W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
68W
Maximaler Drainstrom
30A
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier