N-Kanal-Transistor IXFH26N50, TO247, TO247AD, TO247-3
Menge
Stückpreis
1-4
14.57fr
5-9
13.14fr
10-19
12.81fr
20-49
12.54fr
50+
12.17fr
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N-Kanal-Transistor IXFH26N50, TO247, TO247AD, TO247-3. Gehäuse: TO247, TO247AD, TO247-3. : erweitert. Aufladung: 135nC. Drain-Source-Spannung: 500V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Konditionierung: tubus. Leistung: 300W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. Reaktionszeit: 250ns. RoHS: nein. Strömung abfließen: 26A. Technologie: HiPerFET™. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:18
IXFH26N50
15 Parameter
Gehäuse
TO247, TO247AD, TO247-3
erweitert
Aufladung
135nC
Drain-Source-Spannung
500V
Gate-Source-Spannung
±20V
Konditionierung
tubus
Leistung
300W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
Reaktionszeit
250ns
RoHS
nein
Strömung abfließen
26A
Technologie
HiPerFET™
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS