N-Kanal-Transistor IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4700pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 104A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 580pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11