N-Kanal-Transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

N-Kanal-Transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Menge
Stückpreis
1-4
23.71fr
5-9
22.16fr
10-19
20.92fr
20-29
19.92fr
30+
18.42fr
Menge auf Lager: 10

N-Kanal-Transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 1.5mA. Einschaltwiderstand Rds On: 13m Ohms. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 7000pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. IDss (min): 25uA. Id(imp): 380A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 2250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXFR180N15P
34 Parameter
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
100A
IDSS (max)
1.5mA
Einschaltwiderstand Rds On
13m Ohms
Gehäuse
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOPLUS247
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
7000pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Elektrisch isolierte Rückseite
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute
IDss (min)
25uA
Id(imp)
380A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
2250pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(off)
150 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
200 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS