N-Kanal-Transistor IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: ja. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Ic(Impuls): 80A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 48A. Kosten): 170pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59