N-Kanal-Transistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2700pF. CE-Diode: ja. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: -. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 60A. Kosten): 270pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 120ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59