N-Kanal-Transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
15.24fr
5-14
14.13fr
15-29
13.32fr
30-59
12.61fr
60+
11.87fr
Menge auf Lager: 17

N-Kanal-Transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1960pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs für 40-100-kHz-Schaltung. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 230A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 56A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 220pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Elektrisch isolierte Rückseite. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59

Technische Dokumentation (PDF)
IXGR48N60C3D1
27 Parameter
Ic(T=100°C)
27A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1960pF
CE-Diode
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs für 40-100-kHz-Schaltung
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
230A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
56A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
220pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Spec info
Elektrisch isolierte Rückseite
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.3V
Td(off)
92 ns
Td(on)
19 ns
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS