N-Kanal-Transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
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5-9
9.57fr
10-24
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N-Kanal-Transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2113pF. CE-Diode: ja. Funktion: IGBT mit ultraschneller Soft-Recovery-Diode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: Isolierung 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 Minute). Ic(Impuls): 260A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 75A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 197pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 268W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

IXGR60N60C3D1
28 Parameter
Ic(T=100°C)
30A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2113pF
CE-Diode
ja
Funktion
IGBT mit ultraschneller Soft-Recovery-Diode
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
4 v
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Hinweis
Isolierung 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 Minute)
Ic(Impuls)
260A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
75A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
197pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.9V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
268W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.6V
Td(off)
127 ns
Td(on)
43 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS