N-Kanal-Transistor IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.092 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263AB ). Spannung Vds(max): 300V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2250pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 90A. Kanaltyp: N. Kosten): 370pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11