N-Kanal-Transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

N-Kanal-Transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
10.26fr
5-9
9.50fr
10-19
8.93fr
20+
8.37fr
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N-Kanal-Transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 24m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 225A. Kanaltyp: N. Kosten): 1020pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXTH96N20P
29 Parameter
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
96A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
24m Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4800pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
225A
Kanaltyp
N
Kosten)
1020pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
600W
RoHS
ja
Td(off)
75 ns
Td(on)
28 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
160 ns
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS