N-Kanal-Transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

N-Kanal-Transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
8.78fr
5-9
7.64fr
10-24
6.82fr
25-49
6.14fr
50+
5.08fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 92 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 300V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 130A. Kanaltyp: N. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXTP50N25T
29 Parameter
ID (T=25°C)
50A
IDSS (max)
150uA
Einschaltwiderstand Rds On
92 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
300V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4000pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
130A
Kanaltyp
N
Kosten)
420pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Td(off)
97 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
250 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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