N-Kanal-Transistor IXTP6N100D2, TO220-3
Menge
Stückpreis
1-4
17.18fr
5-9
15.65fr
10-19
15.28fr
20-49
14.96fr
50+
14.53fr
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N-Kanal-Transistor IXTP6N100D2, TO220-3. Gehäuse: TO220-3. : -. Drain-Source-Spannung: 1kV. Leistung: 300W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. Reaktionszeit: 41ns. Strömung abfließen: 6A. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Widerstand auf den Staat: 2.2 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:18
IXTP6N100D2
11 Parameter
Gehäuse
TO220-3
Drain-Source-Spannung
1kV
Leistung
300W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
Reaktionszeit
41ns
Strömung abfließen
6A
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Widerstand auf den Staat
2.2 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS