N-Kanal-Transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-Kanal-Transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
7.39fr
5-14
6.73fr
15-29
6.30fr
30-59
5.94fr
60+
5.29fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 270 milliOhms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2890pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kosten): 280pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXTQ460P2
30 Parameter
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
24A
IDSS (max)
200uA
Einschaltwiderstand Rds On
270 milliOhms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2890pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kosten)
280pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
480W
RoHS
ja
Td(off)
30 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
PolarP2TM Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
400 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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