N-Kanal-Transistor J113, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V

N-Kanal-Transistor J113, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V

Menge
Stückpreis
1-4
0.43fr
5-49
0.33fr
50-99
0.29fr
100+
0.26fr
Menge auf Lager: 1540

N-Kanal-Transistor J113, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Einschaltwiderstand Rds On: 100 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 35V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 28pF. Drain-Source-Schutz: nein. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 35V. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: N. Kosten): 5pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Transistortyp: FET. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59

Technische Dokumentation (PDF)
J113
23 Parameter
Einschaltwiderstand Rds On
100 Ohms
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Spannung Vds(max)
35V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
28pF
Drain-Source-Schutz
nein
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
3V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
0.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
35V
IDss (min)
0.2mA
IGF
50mA
Kanaltyp
N
Kosten)
5pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
350mW
RoHS
ja
Spec info
VGS(off) min 0.5V, max 3V
Transistortyp
FET
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild