N-Kanal-Transistor MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 180A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60T65PES. Kollektorstrom: 100A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 535W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Originalprodukt vom Hersteller: Magnachip Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35