N-Kanal-Transistor MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1650pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kosten): 180pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Magnachip Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30