N-Kanal-Transistor MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V

N-Kanal-Transistor MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V

Menge
Stückpreis
1-4
1.74fr
5-24
1.51fr
25-49
1.28fr
50+
1.16fr
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N-Kanal-Transistor MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 6uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 62V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Autoelektronik. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. IDss (min): 0.6uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L2N06CL. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: MOSFET HYBRID. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

MLP2N06CL
26 Parameter
ID (T=25°C)
2A
IDSS (max)
6uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.3 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
62V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Autoelektronik
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
10V
IDss (min)
0.6uA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
L2N06CL
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
MOSFET HYBRID
Td(off)
5us
Td(on)
1us
Technologie
SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor