N-Kanal-Transistor NCE6005AS, SO8
Menge
Stückpreis
1-9
0.96fr
10-49
0.60fr
50-99
0.51fr
100-199
0.49fr
200+
0.47fr
| Menge auf Lager: 50 |
N-Kanal-Transistor NCE6005AS, SO8. Gehäuse: SO8. : erweitert. Aufladung: 22nC. Drain-Source-Spannung: 60V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5A. Transistortyp: N-MOSFET x2. Originalprodukt vom Hersteller: Nce. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
NCE6005AS
12 Parameter
Gehäuse
SO8
erweitert
Aufladung
22nC
Drain-Source-Spannung
60V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
5A
Transistortyp
N-MOSFET x2
Originalprodukt vom Hersteller
Nce